Samsung množično proizvaja najmanjši DDR5 DRAM v industriji, je podjetje objavilo v torek.
Novi 14nm EUV DDR5 DRAM je samo 14 nanometrov in ima pet plasti tehnologije ekstremnega ultravijoličnega sevanja (EUV). Doseže lahko hitrost do 7,2 gigabita na sekundo, kar je več kot dvakrat več od hitrosti DDR4. Samsung tudi trdi, da njegova nova tehnologija EUV daje DDR5 DRAM najvišjo bitno gostoto, hkrati pa poveča produktivnost za 20 % in zmanjša porabo energije za 20 %.
EUV postaja vse bolj pomemben, saj se DRAM vedno manjša. Pomaga izboljšati natančnost vzorčenja, ki je potrebna za višjo zmogljivost in večje donose, je dejal Samsung. Ekstremna miniaturizacija 14nm DDR5 DRAM-a ni bila mogoča pred uporabo običajne proizvodne metode argon fluorida (ArF) in podjetje upa, da bo njegova nova tehnologija pomagala obravnavati potrebo po večji zmogljivosti in zmogljivosti na področjih, kot sta 5G in umetna inteligenca.
V prihodnje je Samsung dejal, da želi ustvariti 24 Gb 14nm DRAM čip, ki bo pomagal izpolniti zahteve globalnih IT sistemov. Prav tako namerava razširiti svoj portfelj 14nm DDR5 za podporo podatkovnim centrom, superračunalnikom in aplikacijam za poslovne strežnike.
